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Miniaturisierter 120 GHz Radar-Sensor auf ISSCC in San Francisco präsentiert

18.02.2013
Silizium-basierter Chip ist Schlüssel-Schaltkreis für kostengünstiges Miniatur-Radar bei 120 GHz.

Auf der 60. International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) vom 17. bis 21. Februar in San Francisco stellt Dr. Yaoming Sun vom IHP – Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik neueste Schaltkreis-Forschungsergebnisse für Anwendungen in der Millimeterwellen-Technik vor. Die ISSCC ist die bedeutendste internationale Konferenz auf dem Gebiet der Entwicklung integrierter Schaltkreise, so genannter ICs.


122-GHz Radar-Chip (links) und SiP (rechts)
IHP

Den IHP-Wissenschaftlern ist es erstmalig gelungen, gemeinsam mit der Firma Silicon Radar aus Frankfurt (Oder), der Universität Karlsruhe und der Firma Bosch einen anwendungsbereiten Radar-Sensor mit integrierter Antenne zu demonstrieren, welcher Radarsignale sowohl sendet als auch empfängt. Damit können zum Beispiel kurze Entfernungen berührungslos genau vermessen werden. Die Entwicklung erfolgte im Rahmen des EU-Projektes mit dem erfolgversprechenden Namen SUCCESS.

Die Schaltkreisentwickler am IHP arbeiten eng mit den Technologen des Forschungsinstitutes zusammen. Dabei werden die Vorteile der Silizium-Germanium BiCMOS-Technologie in den entwickelten komplexen Schaltkreisen gezielt ausgenutzt. Der Hauptvorteil dieser Technologie liegt in der Kombination von extrem schnellen Bipolartransistoren mit Grenzfrequenzen von über 300 GHz und MOS (Metall-Oxid-Semiconductor)-Transistoren auf einem Chip. Dies ermöglicht Radarsysteme, die Abmessungen von nur wenigen Millimetern haben.

Die Anwendungsgebiete dieser revolutionären „System im IC-Gehäuse“ Technologie (Abk.: SiP) sind vielfältig. Die kostengünstigen miniaturisierten Sensorsysteme können in industriellen Anlagen, Sicherheitssystemen und in der Automobilindustrie eingesetzt werden. Beispiele sind Abstandsmessung, Bewegungsmelder, Vermessung der Stoßdämpfer im Auto und Sensoren zur Materialcharakterisierung. Die kostengünstige silizium-basierte SiP-Lösung wird somit zur Reduzierung der Unfallzahlen auf unseren Straßen beitragen.

Weitere Informationen:
http://www.success-project.eu
http://www.isscc.org
http://www.ihp-microelectronics.com
http://www.siliconradar.com
http://www.kit.edu
http://www.bosch.com

Heidrun Förster | idw
Weitere Informationen:
http://www.ihp-microelectronics.com

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