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Erhöhte Spannung - Insulated Gate Bipolar Transistor Module der sechsten Generation

10.07.2012
Mitsubishi Electric präsentiert seine Mega Power Dual- (MPD) IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) Module der sechsten Generation.

Diese Module sind auf den Einsatz in Wechselrichtern großer Photovoltaik- und Windkraftanlagen ausgerichtet, eignen sich aber auch für Anwendungen mit hohem Leistungsbedarf im Bereich unterbrechungsfreier Stromversorgungssysteme oder für umrichtergespeiste Drehstromantriebe.

Mit den Carrier-Stored Trench-Gate Bipolar Transistoren (CSTBT) der sechsten Generation verringert sich die Kollektor-Emitter Sättigungsspannung im Vergleich zu den MPD-Modulen der fünften Generation um etwa 15 Prozent. Gleichermaßen konnte die Gate-Kapazität um 30-50 Prozent verringert werden. Zudem erhöht sich die maximal zulässige Sperrschicht-Temperatur auf 175°C.

Die Module der sechsten Generation sind in Bezug auf Abmessungen, Form und Pinkonfiguration kompatibel zu den Modulen der fünften Generation, wobei die Isolationsspannung auf 4.000 V erhöht wurde.Die neue Serie erfüllt alle Anforderungen der RoHS-Direktive. Die MPD-Serie der sechsten Generation wurde für den zunehmenden Bedarf nach effizienten und zuverlässigen Systemen zur Energiewandlung im Megawatt-Bereich entwickelt.

Übrigens: Die Mega Power Dual Module der vorangegangenen fünften Generation sind bereits seit 2002 erfolgreich im Einsatz. kf

| SCOPE
Weitere Informationen:
http://www.scope-online.de/Elektrotechnik-Elektronik/MPD-Module/Erhoehte-Spannung.htm

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