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Galliumarsenid-Dioden für die Glasfaseroptik

16.05.2003


Amerikanischen Forschern ist es gelungen, Galliumarsenid-Dioden (GaAs) herzustellen, die für Anwendungen in der optischen Telekommunikation genutzt werden können. Üblicherweise emittiert Galliumarsenid Infrarotstrahlung mit einer Wellenlänge von 0,85 Mikrometern und ist aufgrund der deshalb auftretenden Streuverluste in Glasfaseroptiken für solche Zwecke ungeeignet.



Die Forscher haben nun durch definierte Manipulation des Kristallgitters Galliumarsenid hergestellt, das Strahlung mit einer Wellenlänge von 1,5 Mikrometern aussendet, womit die zuvor beschriebenen Nachteile nicht mehr auftreten. Die Verschiebung zu einer größeren Emissionswellenlängen wird durch die Besetzung von ehemaligen Gallium-Gitterplätzen durch Arsenatome möglich. Somit könnte Galliumarsenid zukünftig in Konkurrenz zu dem üblicherweise eingesetzten Indiumphosphid treten, da dieses sehr teuer und schwierig zu handhaben ist.



Yale University
Frau Janet Pan

Tel.: +1 203 432 4733
Fax: +1 203 432 6420
Faculty of Engineering
USA-06520 New Haven, CT, P.O. Box 208284
janet.pan@yale.edu

Marion Ruffing | NeMA
Weitere Informationen:
http://www.neuematerialien.de/alle_fachbereiche/nachrichten/einzel_de.php4?mode=show_oid&search_what=oid&search_oid=410

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