Forum für Wissenschaft, Industrie und Wirtschaft

Hauptsponsoren:     3M 
Datenbankrecherche:

 

90-nm-DRAM-Technologie-Entwicklung abgeschlossen

02.06.2005


Infineon Technologies AG hat mit der Serienfertigung von DRAMs mit 90-nm-Prozessstrukturen auf 300-mm-Wafern im Halbleiterwerk in Dresden begonnen. Die 90-nm-Technologie wurde gemeinsam mit der Nanya Technology Corporation (NTC) im Dresdner Forschungszentrum von Infineon entwickelt. Erste Speicherprodukte wurden bereits erfolgreich von beiden Unternehmen bei wichtigen Kunden qualifiziert und von Intel validiert. Infineon geht als weltweit zweiter DRAM-Hersteller mit 90-nm-Technologie in Serienproduktion und hatte bereits Ende Mai 2005 etwa fünf Prozent der gesamten DRAM-Kapazitäten von 110 nm auf 90 nm umgestellt. Der Transfer der Technologie zu Inotera Memories, dem in Taiwan ansässigen Fertigungs-Joint Venture von Infineon und Nanya, ist ebenfalls im Gange. Die frühzeitige Einführung der nächsten Technologiegeneration ist einer der wichtigsten Faktoren zur Steigerung der Profitabilität bei der DRAM-Fertigung, weil dadurch die Produktionskosten wesentlich gesenkt und gleichzeitig die Leistungsfähigkeit der Produkte gesteigert werden können.



Die kleineren Chipstrukturen mit 90 nm erhöhen die Anzahl der Chips pro Wafer im Vergleich zur 110-nm-Technologie um mehr als 30 Prozent. Die Produktivitätssteigerung durch die kleineren Chipstrukturen und der Einsatz von 300-mm-Wafern führen zu einer wesentlichen Verringerung der Produktionskosten pro Chip. Die strategische Entwicklungspartnerschaft von Infineon und Nanya umfasst auch den nächsten Technologieschritt mit 70-nm-Strukturen.



„Mit der Qualifizierung hochentwickelter DRAM-Produkte auf Basis der 90-nm-Prozesstechnologie haben wir einen wichtigen Meilenstein auf dem Weg zur Spitzenposition bei Produkten, Technologien und unserer DRAM-Fertigungsproduktivität erreicht“, sagte Dr. Andreas von Zitzewitz, Vorstandsmitglied und Leiter des Geschäftsbereiches Speicherprodukte von Infineon. „Die erfolgreichen Entwicklungsaktivitäten mit Nanya unterstreichen die Effizienz unserer Partnerstrategie und stellen einen Wettbewerbsvorteil innerhalb der äußerst dynamischen DRAM-Industrie dar. Unser Entwicklungsteam arbeitet bereits mit dem gleich hohen Engagement an der Entwicklung von noch kleineren Strukturgrößen für Speicherprodukte.“

„Unsere ersten 90-nm-Produkte unterstreichen die Effektivität und Effizienz des gemeinsamen Entwicklungsprojekts von Nanya und Infineon“, sagte Dr. Jih Lien, Präsident von Nanya Technologies. „Die F&E-Ergebnisse sind viel versprechend. Aber es ist noch höher einzuschätzen, dass Nanya bei 90nm-Produkten in der DRAM-Serienfertigung zu den führenden Unternehmen gehört.”

Bei der Einführung der 90-nm-Prozessstrukturen profitierten die Unternehmen von der Erfahrung von Infineon mit der 193-nm-Lithographie, die schon bei der 110-nm-Technologie eingesetzt wurde. Das Beherrschen der 193-nm-Lithographie ist entscheidend für die Entwicklung kleinerer Prozessstrukturen. Außerdem konnte durch die Einführung des so genannten “checkerboard cell array” eine höhere Speicherkapazität alleine durch die Verwendung herkömmlicher Techniken zur Vergrößerung der Kondensatoroberfläche und ohne den Einsatz von komplexen High-k-Dielektrika erreicht werden.

Neben den damit einhergehenden Kostenvorteilen ist der Übergang auf kleinere Prozessstrukturen die Voraussetzung für schnelle und Strom sparende DDR2- und DDR3-SDRAMs in einer zunehmend mobilen Welt. Nach erfolgreicher Validierung und Kundenqualifikation des ersten Produktes, einem 512-Mbit-DDR-SDRAM, sind Infineon und Nanya die zweiten DRAM-Hersteller mit 90-nm-Prozesstrukturen in Serienproduktion. Das Produkt-Portfolio soll in der zweiten Jahreshälfte 2005 mit einem 512-Mbit-DDR2-SDRAM erweitert werden. Weitere Produkte, darunter auch 256-Mbit-DDR2- und 1-Gbit-DDR2-Speicher sind ebenfalls geplant.

Karin Braeckle | Infineon
Weitere Informationen:
http://www.nanya.com
http://www.infineon.com

Weitere Berichte zu: Effizienz Nanya Produktionskosten Serienproduktion Speicherprodukt

Weitere Nachrichten aus der Kategorie Informationstechnologie:

nachricht Mit revolutionärer Sensor-Plattform zu IoT-Systemen der nächsten Generation
14.12.2017 | Fraunhofer IIS, Institutsteil Entwicklung Adaptiver Systeme EAS

nachricht Analyse komplexer Biosysteme mittels High-Performance-Computing
13.12.2017 | Institut für Bioprozess- und Analysenmesstechnik e.V.

Alle Nachrichten aus der Kategorie: Informationstechnologie >>>

Die aktuellsten Pressemeldungen zum Suchbegriff Innovation >>>

Die letzten 5 Focus-News des innovations-reports im Überblick:

Im Focus: Lange Speicherung photonischer Quantenbits für globale Teleportation

Wissenschaftler am Max-Planck-Institut für Quantenoptik erreichen mit neuer Speichertechnik für photonische Quantenbits Kohärenzzeiten, welche die weltweite...

Im Focus: Long-lived storage of a photonic qubit for worldwide teleportation

MPQ scientists achieve long storage times for photonic quantum bits which break the lower bound for direct teleportation in a global quantum network.

Concerning the development of quantum memories for the realization of global quantum networks, scientists of the Quantum Dynamics Division led by Professor...

Im Focus: Electromagnetic water cloak eliminates drag and wake

Detailed calculations show water cloaks are feasible with today's technology

Researchers have developed a water cloaking concept based on electromagnetic forces that could eliminate an object's wake, greatly reducing its drag while...

Im Focus: Neue Einblicke in die Materie: Hochdruckforschung in Kombination mit NMR-Spektroskopie

Forschern der Universität Bayreuth und des Karlsruhe Institute of Technology (KIT) ist es erstmals gelungen, die magnetische Kernresonanzspektroskopie (NMR) in Experimenten anzuwenden, bei denen Materialproben unter sehr hohen Drücken – ähnlich denen im unteren Erdmantel – analysiert werden. Das in der Zeitschrift Science Advances vorgestellte Verfahren verspricht neue Erkenntnisse über Elementarteilchen, die sich unter hohen Drücken oft anders verhalten als unter Normalbedingungen. Es wird voraussichtlich technologische Innovationen fördern, aber auch neue Einblicke in das Erdinnere und die Erdgeschichte, insbesondere die Bedingungen für die Entstehung von Leben, ermöglichen.

Diamanten setzen Materie unter Hochdruck

Im Focus: Scientists channel graphene to understand filtration and ion transport into cells

Tiny pores at a cell's entryway act as miniature bouncers, letting in some electrically charged atoms--ions--but blocking others. Operating as exquisitely sensitive filters, these "ion channels" play a critical role in biological functions such as muscle contraction and the firing of brain cells.

To rapidly transport the right ions through the cell membrane, the tiny channels rely on a complex interplay between the ions and surrounding molecules,...

Alle Focus-News des Innovations-reports >>>

Anzeige

Anzeige

IHR
JOB & KARRIERE
SERVICE
im innovations-report
in Kooperation mit academics
Veranstaltungen

Materialinnovationen 2018 – Werkstoff- und Materialforschungskonferenz des BMBF

13.12.2017 | Veranstaltungen

Innovativer Wasserbau im 21. Jahrhundert

13.12.2017 | Veranstaltungen

Innovative Strategien zur Bekämpfung von parasitären Würmern

08.12.2017 | Veranstaltungen

 
VideoLinks
B2B-VideoLinks
Weitere VideoLinks >>>
Latest News

Protein Structure Could Unlock New Treatments for Cystic Fibrosis

14.12.2017 | Life Sciences

Cardiolinc™: an NPO to personalize treatment for cardiovascular disease patients

14.12.2017 | Life Sciences

ASU scientists develop new, rapid pipeline for antimicrobials

14.12.2017 | Health and Medicine