Forum für Wissenschaft, Industrie und Wirtschaft

Hauptsponsoren:     3M 
Datenbankrecherche:

 

Infineon steigt in den Flash-Speichermarkt ein und präsentiert ersten 512-Mbit-Flash-Speicherchip

07.01.2004


Infineon Technologies AG kündigte den weltweit ersten NAND-kompatiblen Flash-Chip auf Basis der TwinFlash™ -Technologie an. Entwickelt wurde der 512-Mbit-Flash-Speicherchip von der Infineon Technologies Flash GmbH & Co. KG, einem Joint-Venture von Infineon Technologies und Saifun Semiconductors. Die ersten Produkte werden bereits in Infineons 200-mm-DRAM-Fabrik in Dresden gefertigt.




„Durch die Ergänzung um Flash-Produkte baut Infineon sein Speicherproduktportfolio wesentlich aus und kann seine Speicherproduktion nun flexibel zwischen DRAM und Flash aufteilen“, erläuterte Dr. Harald Eggers, Leiter des Geschäftsbereiches für Speicherprodukte bei Infineon. „Die TwinFlash-Technologie erlaubt uns die Produktion von Flash-Speichern auf vorhandenem Equipment aus der DRAM-Fertigung und damit den Einstieg in einen neuen Markt ohne wesentliche Investitionen in zusätzliche Produktionsanlagen.“



TwinFlash basiert auf Saifuns NROM (Nitrided Read Only Memory)-Technologie, einer leistungsfähigen nichtflüchtigen Speichertechnologie, die von Saifun Semiconductors Ltd. entwickelt wurde und sich in den letzten Jahren bereits als Basis für NOR-Flashs und EEPROMs bewährt hat. Bei dieser Technologie werden zwei (Twin) separate Bits in einer Transistorzelle gespeichert. Im Gegensatz zu vergleichbaren Floating-Gate-Technologien mit nur einem Bit pro Zelle und äquivalenten Prozessstrukturen bietet TwinFlash auf Grund der Speichertechnik mit 2 Bits/Zelle um 40 Prozent kleinere Chip-Abmessungen und weniger Belichtungsmasken, woraus sich äußerst konkurrenzfähige Produktionskosten ergeben. Bis Ende 2004 sind mehr als 10.000 Wafer pro Monat auf Basis der 170-nm-Technologie geplant. Die nächste TwinFlash-Generation mit Strukturen von nur 110-nm befindet sich bereits in Entwicklung. Damit lässt sich die Kostenposition noch weiter verbessern und höhere Dichten mit bis zu 2 Gbit realisieren.

Laut Gartner Dataquest wird der weltweite Markt für NAND-Flash-Speicher um voraussichtlich 30,8 Prozent von US-Dollar 3,36 Milliarden in 2003 auf US-Dollar 4,4 Milliarden in 2004 anwachsen. Infineon beabsichtigt bis 2007 unter den ersten drei Unternehmen im NAND-Flash-Markt zu sein.

„Der NAND-Flash-Markt wird als das am schnellsten wachsende Speichersegment in den nächsten Jahren angesehen“, sagte Dr. Peter Kücher, Geschäftsführer von Infineon Technologies Flash. „Mit der Einführung der TwinFlash-Produktfamilie positioniert sich Infineon bestens, um von dieser Marktsituation zu profitieren.“

Der 512-Mbit-Flash-Speicherchip wird im TSOP-Gehäuse angeboten und zielt auf den Halbleiter-Wechselspeichermarkt mit Produkten wie SD, MMC und Compact-Flash-Karten oder Memory-Sticks, die hauptsächlich in Digitalkameras und PDAs verwendet werden, ab. NAND-Flashs sind auch das bevorzugte Speichermedium für USB-Flash-Laufwerke. Diese werden zum Datenaustausch zwischen PCs und Notebooks oder modernen USB-Laufwerken in MP3-Playern oder Digitalkameras verwendet. NAND-Flash-Chips sind in der Lage, Daten mit hoher Geschwindigkeit zu übertragen, was die Aufnahme und Wiedergabe von Sound und Video in Echtzeit ermöglicht. Da diese Merkmale auch für die neuesten Mobiltelefone mehr und mehr an Bedeutung gewinnen, werden Daten-Flash-Speicher immer häufiger von Mobiltelefonherstellern eingesetzt.

Über Infineon

Infineon Technologies AG, München, bietet Halbleiter- und Systemlösungen für die Automobil- und Industrieelektronik, für Anwendungen in der drahtgebundenen Kommunikation, sichere mobile Lösungen sowie Speicherbauelemente. Infineon ist weltweit tätig und steuert seine Aktivitäten in den USA aus San Jose, Kalifornien, im asiatisch-pazifischen Raum aus Singapur und in Japan aus Tokio. Mit weltweit rund 32.300 Mitarbeitern erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2003 (Ende September) einen Umsatz von 6,15 Milliarden Euro. Das DAX-Unternehmen ist in Frankfurt und New York (NYSE) unter dem Symbol „IFX“ notiert.

Über Infineon Technologies Flash

Infineon Technologies Flash GmbH & Co KG mit Firmensitz in Dresden wurde 2003 als Joint Venture zwischen der Infineon Technologies AG und Saifun Semiconductors Ltd. gegründet. Infineon hält 70 und Saifun 30 Prozent an dem Joint Venture. Infineon Flash kombinierte Infineons Expertise bei DRAM und das Flash-Know-How von Saifun in einem neuen innovativen Produkt namens TwinFlash.

TwinFlash basiert auf der Saifun NROM-Technologie, einer leistungsfähigen nichtflüchtigen Speicher-Technologie, die von Saifun Semiconductors Ltd. entwickelt wurde.

Saifun Semiconductors Kontakt: Merav Shulman, Email: meravs@saifun.com

Karin Braeckle | Infineon Technologies AG
Weitere Informationen:
http://www.infineon.com

Weitere Berichte zu: 512-Mbit-Flash-Speicherchip Flash Semiconductors

Weitere Nachrichten aus der Kategorie Informationstechnologie:

nachricht Plattformübergreifende Symbiose von intelligenten Objekten im »Internet of Things« (IoT)
09.12.2016 | Fraunhofer-Institut für Optronik, Systemtechnik und Bildauswertung IOSB

nachricht Von Fußgängern und Fahrzeugen: Uni Ulm und DLR sammeln gemeinsam Daten für das automatisierte Fahren
09.12.2016 | Universität Ulm

Alle Nachrichten aus der Kategorie: Informationstechnologie >>>

Die aktuellsten Pressemeldungen zum Suchbegriff Innovation >>>

Die letzten 5 Focus-News des innovations-reports im Überblick:

Im Focus: Elektronenautobahn im Kristall

Physiker der Universität Würzburg haben an einer bestimmten Form topologischer Isolatoren eine überraschende Entdeckung gemacht. Die Erklärung für den Effekt findet sich in der Struktur der verwendeten Materialien. Ihre Arbeit haben die Forscher jetzt in Science veröffentlicht.

Sie sind das derzeit „heißeste Eisen“ der Physik, wie die Neue Zürcher Zeitung schreibt: topologische Isolatoren. Ihre Bedeutung wurde erst vor wenigen Wochen...

Im Focus: Electron highway inside crystal

Physicists of the University of Würzburg have made an astonishing discovery in a specific type of topological insulators. The effect is due to the structure of the materials used. The researchers have now published their work in the journal Science.

Topological insulators are currently the hot topic in physics according to the newspaper Neue Zürcher Zeitung. Only a few weeks ago, their importance was...

Im Focus: Rätsel um Mott-Isolatoren gelöst

Universelles Verhalten am Mott-Metall-Isolator-Übergang aufgedeckt

Die Ursache für den 1937 von Sir Nevill Francis Mott vorhergesagten Metall-Isolator-Übergang basiert auf der gegenseitigen Abstoßung der gleichnamig geladenen...

Im Focus: Poröse kristalline Materialien: TU Graz-Forscher zeigt Methode zum gezielten Wachstum

Mikroporöse Kristalle (MOFs) bergen große Potentiale für die funktionalen Materialien der Zukunft. Paolo Falcaro von der TU Graz et al zeigen in Nature Materials, wie man MOFs gezielt im großen Maßstab wachsen lässt.

„Metal-organic frameworks“ (MOFs) genannte poröse Kristalle bestehen aus metallischen Knotenpunkten mit organischen Molekülen als Verbindungselemente. Dank...

Im Focus: Gravitationswellen als Sensor für Dunkle Materie

Die mit der Entdeckung von Gravitationswellen entstandene neue Disziplin der Gravitationswellen-Astronomie bekommt eine weitere Aufgabe: die Suche nach Dunkler Materie. Diese könnte aus einem Bose-Einstein-Kondensat sehr leichter Teilchen bestehen. Wie Rechnungen zeigen, würden Gravitationswellen gebremst, wenn sie durch derartige Dunkle Materie laufen. Dies führt zu einer Verspätung von Gravitationswellen relativ zu Licht, die bereits mit den heutigen Detektoren messbar sein sollte.

Im Universum muss es gut fünfmal mehr unsichtbare als sichtbare Materie geben. Woraus diese Dunkle Materie besteht, ist immer noch unbekannt. Die...

Alle Focus-News des Innovations-reports >>>

Anzeige

Anzeige

IHR
JOB & KARRIERE
SERVICE
im innovations-report
in Kooperation mit academics
Veranstaltungen

Firmen- und Forschungsnetzwerk Munitect tagt am IOW

08.12.2016 | Veranstaltungen

NRW Nano-Konferenz in Münster

07.12.2016 | Veranstaltungen

Wie aus reinen Daten ein verständliches Bild entsteht

05.12.2016 | Veranstaltungen

 
VideoLinks
B2B-VideoLinks
Weitere VideoLinks >>>
Aktuelle Beiträge

Hochgenaue Versuchsstände für dynamisch belastete Komponenten – Workshop zeigt Potenzial auf

09.12.2016 | Seminare Workshops

Ein Nano-Kreisverkehr für Licht

09.12.2016 | Physik Astronomie

Pflanzlicher Wirkstoff lässt Wimpern wachsen

09.12.2016 | Biowissenschaften Chemie