Antiferromagnet: 1.000 Mal mehr Speicherleistung

Forscher haben es zum ersten Mal geschafft, den elektrischen Fluss bei Antiferromagneten zu kontrollieren und ebnen damit den Weg neuer Speichergeräte.

Physiker der University of Nottingham http://nottingham.ac.uk sehen den Schritt in Zusammenarbeit mit Forschern aus Tschechien, Deutschland und Polen als Durchbruch.

Antiferromagnetische Materialien hätten das Potenzial, die digitale Welt zu transformieren.

Smarte Materialien

Geräte könnten in naher Zukunft kleiner, schneller und robuster werden und noch dazu ihre Energieeffizienz verbessern.

Das neue Material könnte außerdem die Geschwindigkeit gegenüber heutigen Speichertechnologien um das 1.000-Fache erhöhen. Bislang fanden antiferromagnetische Materialien im Bereich der IT nur in Kombination mit anderen Materialklassen Verwendung.

Nun hat das Forscherteam einen Weg gefunden, Antiferromagneten zu einer unabhängigen Materialklasse zu machen. Als Ergebnis haben es die Experten geschafft, das Umschalten des magnetischen Moments eines antiferromagnetischen Materials zu kontrollieren.

Die neuentwickelte Form der Speicherung hat Eigenschaften, die es besonders nützlich für die moderne Elektronik machen.

Breiter Einsatz denkbar

Der Vorteil der Neuentwicklung: Sie entwickelt keine Felder, was bedeutet, dass die einzelnen Elemente enger aneinandergebaut werden können, was zu einer höheren Speicherdichte führt. Ein antiferromagnetischer Speicher ist zudem unempfindlich gegenüber magnetischen Feldern und der Strahlung von außen, was das Material vor allem für den Satellitenmarkt und die Flugzeugelektronik sehr interessant macht.

„Im Gegensatz zur ferromagnetischen Technologie können unsere antiferromagnetischen Speicher auch nicht durch große Magnetfelder vernichtet werden“, meint Forschungsleiter Peter Wadley. „Antiferromagneten erhöhen die Geschwindigkeit der Operationen, die Robustheit, die Energieeffizienz und könnten eine große kommerzielle und soziale Wirkung entfachen.“