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Starke Mini-LED für superflache Touchscreens

13.09.2011
Osram Opto Semiconductors hat eine infrarote Leuchtdiode (IRED) für besonders flache optische Touchscreens entwickelt.

Die kleinen Strahler sitzen in einem Rahmen um das Display und spannen ein Lichtnetz über der Anzeige auf. Wenn der Nutzer mit dem Finger auf den Bildschirm tippt, wird das Lichtgitter an dieser Stelle gestört. Daran wird die Berührung erkannt. Die neue SFH 4053 beansprucht nur 0,45 Millimeter Höhe im Rahmen und kann auch problemlos in Tablet-PC’s eingebaut werden. Gleichzeitig ist die Diode leistungsstark genug, um zum Beispiel auch Laptopdisplays auszuleuchten.


Die Komponenten optischer Touchscreens sind in einem halben bis einen Millimeter flachen Rahmen, dem so genannten Bezel, um das Display montiert. Reihen gegenüberliegender IRED und Detektoren spannen ein unsichtbares infrarotes Lichtgitter auf. Ein Finger, der auf das Display tippt, unterbricht den Lichtstrahl und das Signal der entsprechenden Empfänger fällt ab. Größere Anzeigen für Notebooks oder All-in-One (AiO) Computer werden von zwei Ecken aus mit infrarotem Licht geflutet. Kamerasensoren neben den IRED empfangen nur dann ein Signal, wenn ein Finger auf dem Display das ausgesandte Licht reflektiert.

Diese Methode kommt mit wenigen Bauteilen aus, verlangt aber nach IRED mit sehr hoher Strahlungsleistung. Je stärker die infrarote LED ist, desto größere Touchscreens können mit derselben Anzahl von Bauelementen verwirklicht werden.

Osram Opto Semiconductors, Unternehmensteil der Siemens-Tochter Osram, setzt für die neue IRED auf ein kleines ChipLED-Gehäuse, das nur 0,5 mal 1 Millimeter misst. Das Bauteil gehört zu den flachsten am Markt.

Das emittierte Licht hat eine Wellenlänge von 850 Nanometer und ist für das menschliche Auge unsichtbar, wird aber von Infrarot Empfängern und Kamerasensoren gut detektiert. Aufgrund der hocheffizienten Dünnfilm-Chiptechnologie liefert die IRED auch bei wenig Strom viel Licht und schont so die Batterielaufzeit tragbarer Geräte. Im Dauerbetrieb bei 70 mA Strom beträgt die Strahlungsleistung 35 mW und kann im Pulsbetrieb um ein Vielfaches erhöht werden. (IN 2011

Dr. Norbert Aschenbrenner | Siemens InnovationNews
Weitere Informationen:
http://www.siemens.de/innovation

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